Ổ sử dụng Giao diện PCIe® Gen 4.0 x4 hoặc PCIe Gen 5.0 x2 theo chuẩn NVMe 2.0 bằng một nửa đường dẫn của PCIe 5.0 nhưng có khả năng đạt hiệu năng tương đương Gen 4.0 x4
Kiểu dáng: M.2 2280 (chiều dài khoảng 80 mm, bề rộng 22 mm)
Tốc độ đọc tuần tự (sequential): lên đến 7 150 MB/s (phiên bản 1 TB)
Tốc độ ghi tuần tự: lên đến 6 300 MB/s
Tốc độ ngẫu nhiên (4 KB, QD32): đọc khoảng 850 000 IOPS, ghi khoảng 1 350 000 IOPS cho bản 1 TB
Dung lượng TBW (Total Bytes Written): bản 1 TB khoảng 600 TBW (theo thông tin từ đánh giá Hothardware)
Sử dụng Samsung V-NAND TLC thế hệ 8 và bộ điều khiển Piccolo 5 nm, kiến trúc hoạt động trên cả PCIe Gen 4 và Gen 5 để tối ưu hiệu năng và tiết kiệm năng lượng
Không có DRAM, thay vào đó dùng Host Memory Buffer (HMB) để tăng hiệu quả truy cập dữ liệu
Áp dụng tính năng TurboWrite 2.0 để cải thiện hiệu năng ghi cho các tệp lớn
Lớp mạ niken giúp tăng hiệu quả tản nhiệt, giảm nhiệt độ ổ và nâng cao hiệu suất năng lượng lên khoảng 73% so với phiên bản 990 EVO tiền nhiệm
Hỗ trợ mã hóa AES-256 bit, tiêu chuẩn TCG/Opal 2.0 và Microsoft eDrive (IEEE 1667)
